三星電子於27日宣布，他們成功研發出一種可將電力消耗最多降低96%的新型NAND閃存技術。該技術通過顛覆傳統材料認知，有望在對高容量與高能效要求嚴苛的人工智慧數據中心、邊緣計算設備及移動終端等領域實現廣泛應用。
根據sedaily的報道，這項突破性成果由三星綜合技術院（SAIT）與半導體研究所共34名研究人員共同完成，相關論文《用於低功耗NAND閃存的鐵電電晶體》已發表於國際頂級學術期刊《自然》。研究團隊重新審視了長期以來被視為「不適合高性能晶片」的氧化物半導體材料，發現其較高的「閾值電壓」特性反而可在高堆疊層數的3D NAND結構中有效抑制漏電流，從而顯著提升能效。
傳統NAND閃存採用「單元串」結構，隨著存儲密度提升、堆疊層數增加，即使在關閉狀態下也會產生不可忽視的漏電流，導致讀寫功耗持續上升。而三星的新技術通過引入鐵電電晶體，精準控制低於閾值電壓的電流流動，在維持高存儲容量的同時，大幅削減能耗。
據測算，相較現有NAND閃存，新技術可實現最高96%的功耗降低。一旦實現商業化，不僅有助於AI數據中心降低運營成本，還將延長智慧型手機等移動設備的電池續航時間。
論文第一作者、三星SAIT研究員柳時正表示：「我們驗證了超低功耗NAND閃存的可行性，未來將聚焦產品化，推動其在AI生態系統中發揮更大作用。」隨著AI對高效存儲需求的激增，三星此次技術突破或將成為下一代存儲晶片的重要轉折點。
