鎧俠計劃2027年量產BiCS10 NAND快閃記憶體：332層衝擊更大儲存容量

如今AI的火爆讓儲存廠商賺得是盆滿缽滿，尤其是鎧俠這樣的企業更是如此。豐厚的利潤也讓廠商願意投入更多的資源從事新一代快閃記憶體的研發，根據最新的消息，鎧俠計劃在明年量產第十代BiCS FLASH產品，看起來比原定的2026年底延期了一段時間，BiCS10最高擁有332層的規格，主要用於超大容量SSD的製造，並且大概率還將針對AI市場對快閃記憶體進行特別的優化，估計明年投產之後又是強大的印鈔機。

目前鎧俠已經在BiCS 8中引入了最新的CBA技術，同時在2025年出樣了基於最新CMOS技術打造的BiCS 9快閃記憶體顆粒，相關的產品也已經出爐，不過NAND快閃記憶體的發展速度似乎已經跟不上AI的發展速度，各大AI超算平台以及數據中心都等待著更加出色的NAND快閃記憶體的推出，因此鎧俠也加快了相關產品的研發與量產。

根據最新的報道，鎧俠BiCS 10的儲存堆疊層數可以達到332層，從而帶來更大的儲存空間以及速度，密度相比較現在的BiCS8能夠提高59%，I/O速度也可以達到最高4.85Gbps，這幾項數據都針對AI進行了特別的優化，估計鎧俠未來搭載BiCS 10的SSD也是首發數據中心，普通消費者或許要等到2028年才能看到相關的產品。