近日，存儲器製造商三星和SK海力士已經獲得美國無限期豁免，不需要特別的許可批准，即可為其在華工廠安裝帶有美國技術的製造設備。目前三星在西安擁有NAND閃存工廠，另外在蘇州還有封裝設施。
據Business Korea報道，三星已經決定對西安工廠進行升級，並開始大規模擴張，首先將過渡到200層的NAND工藝。為了應對過渡計劃，目前三星已採購了一批新的設備，預計今年年底就能交付。同時三星計劃明年陸續引進新的生產設備，為生產採用第8代V-NAND技術的236層閃存產品做好準備。
三星決定升級西安工廠主要有兩個原因。第一是NAND閃存市場沒有出現復甦跡象，即便今年4月開始採取減產措施也沒有明顯改變，為了保持其在該領域的領導地位，選擇升級工藝可以確保產品的競爭力和價格，畢竟比起第6代V-NAND技術，第8代新技術的晶圓投入減少了30%左右，更能平衡市場供需。三星西安工廠作為採用第6代V-NAND技術的128層閃存產品的主要生產基地，開工率自然也大幅度下降。
美國的無限期豁免是另外一個原因，促使三星儘快升級生產設備。三星在西安的NAND閃存工廠是其唯一的海外存儲半導體生產基地，第一工廠投資了108.7億美元，於2014年5月開始投產，並在2017年開始建造第二工廠，先後投資了150億美元，於2022年3月全面投產。這是全球產能最高的NAND閃存工廠，占三星NAND閃存總產量的40%以上，占全球NAND閃存總產量的10%以上。
