鎧俠公布第十代BiCS FLASH閃存技術：總層數達332層，接口速度升至4.8Gbps

鎧俠（Kioxia）和閃迪（Sandisk）合作，在最近的ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH閃存技術。與上一代產品相比，新款3D NAND閃存的性能提高了33%，位密度、接口速率和功率效率也有所提高。

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據TomsHardware報道，BiCS10 FLASH 3D NAND閃存採用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓單獨製造後粘合在一起。這不是什麼新鮮事，畢竟在第八代BiCS FLASH閃存技術上就已經這麼做了。不過亮點在於，鎧俠採用了Toggle DDR6.0接口標準和SCA協議，將NAND I/O接口速度從3.6Gbps提升至4.8Gbps。

速度的提升還有部分原因在於NAND閃存層數的增加，從第八代BiCS FLASH閃存技術的218層增至332層，總層數增加了38%。優化平面布局後，位密度提升了59%，進一步增強了存儲密度。鎧俠曾表示，到2027年製造總層數達到1000層的3D NAND閃存，顯然322層比起來仍然有較大距離。

此外，新一代3D NAND閃存還引入了PI-LTT技術，從而降低了功耗，其中數據輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%。鎧俠首席技術官宮島秀表示，隨著人工智慧（AI）技術的普及，預計產生的數據量將大幅增加，因此現代數據中心對提高能效的需求也在增加。