5月5日消息，三星、SK 海力士、美光全球三大儲存巨頭已全面啟動DDR6 下一代內存聯合研發，攜手基板廠商推進樣品試製與性能驗證，新一輪內存標準競賽正式拉開帷幕。
據供應鏈業內人士透露，三大廠商已向合作基板企業下達 DDR6 前期開發需求，目前初期工程樣品已製作完成，進入功能測試階段。按照行業慣例，內存廠商通常會在新品上市兩年以上提前布局研發，此次 DDR6 研發啟動節奏較以往有所提前。
規格方面，當前主流 DDR5 內存最高速率為 8.4Gbps，而 DDR6 成熟後峰值速率可達17.6Gbps，性能實現近乎翻倍提升。不過高速率也帶來新挑戰，信號完整性、功耗控制以及基板高密度布線設計，成為現階段核心研發難點。目前 JEDEC 僅發布 DDR6 標準初稿，接口規格、厚度參數等細節仍在多方協調敲定中，各大廠商都力爭將自家方案納入官方標準，搶占量產與技術優勢。
市場調研數據顯示，DDR5 世代更替已近尾聲，伺服器領域 DDR5 市場占比已超 80%，年內有望升至 90%。與之相對，DDR4 市場份額持續萎縮至 20% 以下，新增採購需求銳減，行業已普遍討論 DDR4 逐步減產、停產事宜，經典內存規格即將淡出主流舞台。
業內分析認為，AI 伺服器算力需求爆發，是倒逼 DDR6 研發提速的核心原因。海量數據吞吐與高頻寬需求，讓現有 DDR5 逐漸觸及性能瓶頸。行業預估，DDR6 將在2028 至 2029 年實現商用落地，優先適配 AI 數據中心，後續逐步下沉至 PC、消費電子等市場，開啟內存性能新時代。
