2 月 18 日消息，高通在去年 11 月發布了驍龍 8 Gen 2 晶片，基於台積電 4nm 工藝。今年可能會有驍龍 8 Gen 2 晶片，性能會更強。高通也可能會跳過推出 Plus 版 SoC，但將在今年晚些時候推出驍龍 8 Gen 3 晶片。
驍龍 8 Gen 2 晶片峰值頻率為 3.2GHz，三星 Galaxy S23 系列中的驍龍 8 Gen 2 超頻版本峰值時鐘速度為 3.36GHz。預計今年推出的驍龍 8 Gen 3 晶片將帶來更好的性能，同時降低功耗。
目前關於驍龍 8 Gen 3 晶片的細節尚不清楚。據曝光的跑分顯示，驍龍 8 Gen 3 晶片的 CPU 性能將比驍龍 8 系列 SoC 提升 25%。驍龍 8 Gen 3 for Galaxy 晶片在 Geekbench 早期測試中，單核分數為 1930，, 多核分數為 6236。
消息稱驍龍 8 Gen 3 for Galaxy 將採用 1 5 2 核心配置，比當前驍龍 8 Gen 2 for Galaxy 的 1 4 3 設置多一個能效核心。得益於台積電 N4P 工藝節點，其能效可能比驍龍 8 Gen 2 高出 20%。
