英特爾 (intel) 近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）曝光機，將協助其在未來幾年大成更先進的晶片製程技術。與之形成對比的是，台積電當前則似乎按兵不動，並不急於加入這場下一代曝光技術的競賽。市場分析師預計，台積電可能要到1.4納米 (A14)，或是更晚的2030年之後才會採用這項技術。
英特爾這次獲得的High-NA EUV曝光機將首先用於學習和掌握這項技術，並預計在未來兩到三年內用於intel 18A製程技術之後的製程節點。相較之下，台積電則採取更加謹慎的策略，市場分析師就認為，台積電可能要到預計的A1.4製程，或者是2030年之後才會採用High-NA EUV曝光機。
分析師表示，與英特爾計劃將High-NA EUV與GAA電晶體同時導入intel 20A製程技術不同的是，預計台積電將在A14製程技術之後才導入High-NA EUV，甚至時間將更晚到2030年以後。
事實上，英特爾積極的製程技術發展路線，包括從intel 20A開始導入RibbonFET全環柵電晶體架構和PowerVia背面供電技術。然後，在intel 18A進一步優化，並在intel 18A之後期程節點採用High-NA EUV曝光機，以達到更低功耗、更高性能，以及更小晶片尺寸的目標。
市場分析師認為，至少在初期，High-NA EUV的成本可能高於Low-NA EUV，這也是台積電暫時觀望的原因。因為台積電更傾向於採用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。因為High-NA EUV需要更高的光源功率才能驅動更精細的曝光尺寸，這會加速投影光學器件和光罩的磨損，抵消了更高產能的優勢。因此，這與台積電以最具成本競爭力的技術瞄準市場的策略一致。
而台積電早在2019年就開始在晶片量產中使用EUV曝光機，雖然比三星晚了幾個月，但是比英特爾卻早了幾年的時間。當前，英特爾希望在High-NA EUV領域搶先三星和台積電，以獲得一定的技術和戰略優勢，增加客戶的青睞程度。所以，一旦台積電等更晚才採用High-NA EUV曝光機，能否持續保住其在製程技術方面的領先地位，則需要後續持續觀察。
(首圖來源：ASML)
