內存大廠美光科技（Micron）宣布推出採用1β製程節點技術的16Gb DDR5內存。美光1β DDR5 DRAM的內置系統功能速率可達7,200MT/s，目前已出貨給所有數據中心及PC客戶。美光1β DDR5內存採用先進高介電常數CMOS製程、四相位時脈及時脈同步，相較於前一代產品，性能可提升50%，每瓦性能功耗可降低33%。
美光指出，為應對數據中心工作負載所需，CPU核心數持續增加，為突破「內存牆」（Memory Wall）瓶頸，同時為客戶提供優化的總擁有成本，對於內存帶寬及容量需求也隨之大幅提升。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力，並以更高性能輔佐數據中心及客戶端平台，支持AI訓練及推論、生成式AI、數據分析、內存資料庫等。全新1β DDR5 DRAM產品在現有模塊化密度中，速率可達4,800MT/s至7,200MT/s，適用於數據中心及客戶端應用。
美光核心運算DRAM產品設計工程業務部企業副總裁Brian Callaway指出，量產1β DDR5 DRAM並提供給客戶及數據中心平台，是業界一大里程碑，在我們與生態系夥伴及客戶合作下，將加速高性能內存產品的普及。
美光1β技術協助提供更廣泛的內存解決方案，包括使用16Gb/24Gb/32Gb DRAM晶粒DDR5 RDIMMs和MCRDIMMs、使用16Gb/24Gb DRAM晶粒的LPDDR5X及HBM3E與GDDR7。全新美光16Gb DDR5內存產品可通過直接銷售及渠道夥伴供貨。
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